실험 1 : Amplifier Biasing

이론 】

Common Emitter(에미터 공통)구성에서 트랜지스터의 전류이득은

beta ~

 
로 나타내며 다음과 같이 정의한다.

 

beta = {Δ I_C} over {Δ I_B} ~~~~ (V_CE ~const)

 

여기서 얻은

beta ~

 
의 바이어스 조건은 다음과 같다.

에미터-베이스 접합은 순방향 바이어스이다.

콜렉터-베이스 접합은 역방향 바이어스이다.


트랜지스터 증폭기는 dc 혹은 ac 전류나 전압을 증폭하는데 사용된다. 그림 6-1은 에미터가 접지된 ac 증폭기로 연결된 NPN 트랜지스터의 회로이다.

R_1

 

R_2

 
는 베이스-에미터 회로를 순방향 바이어스하는데 사용된다.

V_cc

 
는 콜렉터 전류와 베이스 바이어스 전압 분배기

R_1

 

R_2

 
를 위한 전원전압을 공급한다. 입력신호

V_"in"

 

C_1

 
을 통해 베이스와 연결된다. 권에서 트랜지스터 특성에 관한 실험에서 베이스전류의 작은 증가가 상대적으로 큰 콜렉터전류의 증가를 가져온다는 사실을 알았다. 또한 베이스전류의 작은 감소로 상대적으로 큰 콜렉터전류의 감소를 야기시킨다. 그러므로 베이스와 콜렉터회로의 전류는 동 위상이다. 에미터공통 회로에서 콜렉터전류의 조절 정도는 트랜지스터의

beta ~

 
에 의존한다.

바이어스 방법과 안정화

왜곡없는 증폭을 하기 위해서 입력 신호를 트랜지스터 특성의 선형 영역에서 동작하도록 베이스는 적절하게 바이어스 되어져야 한다. 그렇지 않으면 출력은 차단 혹은 포화 영역에서 구동되어 왜곡된 출력이 된다. 즉, 트랜지스터를 바이어스하는 방법에 따라 주어진 입력 신호에 따른 출력 신호의 충실도가 결정된다.