실험 3 : Trigger 회로

【 이론 】

UJT(Unijunction Transistor)

UJT는 Double base diode라고도 하는데, 가장 대표적인 트리거 소자로써, 많은 회로에 쓰인다. 구조는 그림 19-10과 같이, 반도체의 양단을 접속한 단자를 가지고 있고, 중앙에 pn 접합 단자(에미터)를 마련한 것인데, 그 특성은 그림 19-10(c)와 같다.

$$ V_BB =0

인 때는 보통의 다이오드 특성이지만,

$$ V_BB~ > 1

인 때는 부성저항 특성을 나타낸다. 즉, 2개의 베이스 전극

$$ B_1 - B_2

간에

$$ V_BB~

가 인가되어

$$ B_2~

에서

$$ B_1

을 향하는 전계가 생기고 있을 때의 에미터 바로 밑 전위

$$ V_C~

에 비하여

$$ V_E ~< V_C~

인 때에는 pn접합이 역방향으로 바이어스 되기 때문에 고저항 상태에 있으나,

$$ V_E ~> V_C~

가 되면 pn 접합은 정 바이어스되어 정공의 주입이 생기고

$$ E - B_1

사이의 전도도가 변조됨으로써 부성 저항을 나타낸다. 그림 19-11은 UJT에 의한 기본 발진 회로이며, 발진주기

$$ tau ~

는 거의 다음과 같이 된다.

여기서

$$ eta ~

는 Stand-Off 비를 의미한다.

⼗ 개방 전압비(

$$ eta ~

: Stand-Off비) : UJT에서 베이스

$$ B_1 - B_2~

간의 베이스 저항 및

$$ B_1 - B_2~

간에 가해진 전압이 에미터에 의해 양측에 분할되는 분압비를 개방전압비라 하고 UJT의 특성을 나타낸다.

UJT에 의한 타이머 회로

그림 19-12는 단시간 지연 타이머인데, 시간 설정에 UJT를 사용하고 있다. 동작은 스위치 S를 ON한 후,

$$ C_1

,

$$ R_1

에 의한 충전 시간만큼 뒤에 UJT로부터 펄스가 발생, SCR을 트리거하여, 부하 전류를 흘린다. D는 바이어스 회로를 이루고 있고, 부하의 변화와 상관없이 안정하게 한다.